据外媒报道，近日美国宣布通过了有关芯片补贴法案的新闻，并在8月9日由拜登签字确认，该法案公布了关于向符合要求的芯片半导体企业补贴760亿美元，以帮助其能够将生产基地迁回美国，其中需满足以下两点，方可获得政府补贴：
1. 符合美国的技术要求，“先进制程”的芯片半导体制造企业，注意一定要是制造型企业；
2. 满足第一点要求的企业需将生产基地回迁至美国本土；
就目前来说，芯片加工制造基地在中国较多，这主要是因为中国具有非常大的芯片半导体消费市场，而此次拜登政府为了遏制中国尖端产业的发展，采取封锁技术的方式，不仅会迫使相关企业进退两难，甚至出现产能过剩的情况，最后不得不面对倒闭的局面，为什么这么说，首先芯片半导体企业在面对美国政府的行政手段时，不得不妥协，回迁至美国以后，在离全球最大消费国更远的距离，势必会被近距离的芯片半导体企业所替代，这是国产芯片半导体企业的契机。
能不能抓住机遇，突破美国的技术封锁，值得每一个半导体企业深思。
芯片制造的难点在于国内没有满足需求的光刻机，我们只看到别人制成5nm芯片，甚至3nm，而国产由于技术封锁，至今仍无法突破，这是我们的短板，我们必须承认，新中国成立不足百年，从一穷二白走到如今确实不容易，再加上国际形势复杂，欧美国家不断对我国科技实施行政干预政策，再者芯片的发展是一个过程，确实需要无数有志青年投入到科研兴国的队伍中。
芯片加工工艺非常复杂，从晶圆到光刻，从封装到检测，看似简单，每一步却难于制造原子弹，当然了芯片的检测并非我们所理解的性能测试或者外观检测，我们试过用XRAY检测设备对芯片内部进行无损检测，除了能看到芯片内部的金线之外，几乎看不到其他东西。试想XRAY能看到5um精度的物体，在芯片下却无所发现，这正说明芯片内部的晶体管低于5um，也许是纳米级别，你说它能不难吗？

不过，我们有足够的耐心和毅力去钻研，相信不久的以后，中国也能制造出3nm的芯片，引领世界。